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Channel length dependent sensor response of Schottkybarrier FET pH sensors

文献类型： 会议论文

第一作者： Larysa Baraban

作者： Larysa Baraban 1 ; Claudia, Richter 2 ; Walter Weber 2 ; Sebastian Pregl 3 ; Felix Z?rgiebel 3 ; Gianaurelio Cuniberti 3 ; Thomas Mikolajick 3 ;

作者机构： 1.Institute for Materials Science and Max Bergmann Center of Biomaterials TU Dresden 01062 Dresden, Germany

2.IEEE Namlab GmbH 01187 Dresden, Germany

3.Center for Advancing Electronics Dresden (CfAED) TU Dresden 01062 Dresden, Germany

关键词： Channel;dependent;Schottkybarrier

会议名称： IEEE Sensors Conference

主办单位：

页码： 738-741

摘要： We present a multi channel Schottky-barrier (SB) field effect transistor (FET) based platform for chemical sensor applications and investigate its sensitivity on channel length. Designed transistors consist of parallel assembled bottom up grown silicon nanowires with a mean diameter of 20 nm. Focusing on investigations of devices with different channel lengths, we demonstrate that different optimum sensing regimes exist and they are determined by the device geometry. These target at different realizations and operation schemes. The sensitivities of the SB-FETs in linear and subthreshold regime are extracted from analysis of the pH response of silicon nanowire sensor devices.

分类号： TP212-53

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